氮化镓与硅晶体非均相结合的新突破

时间:2020-08-07 23:44 点击:58

原题目:在我国专家学者获得硅和氮化镓晶圆级片式异质集成新突破

集微网信息(文/涂涂)前不久,西安电子科技大学微电子技术学校有关硅与氮化镓异质集成集成ic毕业论文在国际性半导体材料器件学术期刊IEEE Transactions on Electron Devices上发布。

图片出处:西安电子科技大学新闻

据了解,郝跃工程院院士精英团队明确提出了一种转印纸和自指向离子注入方式 ,并初次完成了晶圆级的Si-GaN片式异质集成的共源共栅晶体三极管。此项技术性和方式 有希望完成多种多样原材料的规模性异质集成并根据此生产制造作用多元化的器件和电源电路,防止了价格昂贵且繁杂的原材料异质相互依存技术性或晶圆键合加工工艺。根据转印纸和自指向离子注入的新技术应用,促使硅器件与氮化镓器件的互联间距减少至100μm下列,仅为传统式键合线长短的5%。

据估计,新式的共源共栅晶体三极管能够比传统式键合方式 降低98.59%的内寄生电感器。Si-GaN片式异质集成的共源共栅晶体三极管的阈值电压被调配为2.1V,完成了加强型器件。该器件栅压摆幅在栅走电小于10-5mA/mm的范畴内做到了±18V。历经很多器件检测和可靠性测试后,集成ic中间的特性具备优良的一致性,这充分说明了转印纸和自指向离子注入技术性完成晶圆级片式集成共源共栅晶体三极管的极大发展潜力和优点。

据西安电子科技大学新闻报导,本次是西安电子科技大学精英团队初次完成了晶圆级硅与氮化镓片式异质集成的加强型共源共栅晶体三极管,获得了硅和氮化镓晶圆级片式异质集成新突破。该新技术应用防止了价格昂贵繁杂的异质原材料外延性和晶圆键合的传统手工艺技术性,有希望变成提升摩尔定律的一条合理技术性相对路径。(审校/小北)


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tag:异质,器件,晶圆,共栅,集成,共源,单片,氮化镓,晶体管,西

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